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薄膜制備設(shè)備

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MBE分子束外延設(shè)備


分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)(分子束外延MBE)該設(shè)備可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)工藝,實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等??梢赃M(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長(zhǎng)制造。 分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備在薄膜外延生長(zhǎng)時(shí)具有超高的真空環(huán)境,是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長(zhǎng),它可以排除在薄膜生長(zhǎng)時(shí)的各種干擾因素,得到理想的高精度薄膜。

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