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產(chǎn)品分類

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科研型 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)

服務(wù)支持:

  • 產(chǎn)品描述
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    科研型 高真空磁控濺射鍍膜機(jī) Circular Sputter系列是我司科研類及中試類高真空磁控濺射儀,其主要是用圓形磁控濺射靶進(jìn)行濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。
    可用于TGV/TSV/TMV 先進(jìn)封裝的研發(fā),高深徑比(≥10:1)的深孔種子層鍍膜。
    設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)
    秉承設(shè)備為工藝實(shí)現(xiàn)提供實(shí)現(xiàn)手段的理念,我們做了如下設(shè)計(jì)和工程實(shí)現(xiàn),實(shí)際運(yùn)行效果良好,為用戶的專用工藝實(shí)現(xiàn)提供了精準(zhǔn)的工藝設(shè)備方案。
    靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理
    - 靶材和靶面直接做到面接觸是很難的,如果做不到面接觸,接觸電阻將增大,導(dǎo)致離化電場的幅值不夠(接觸電阻增大,接觸面的電場分壓增大),導(dǎo)致鍍膜效果不好;電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫,降低鍍膜質(zhì)量。
    - 靶材和靶面接觸不良,導(dǎo)致水冷效果不好,降低鍍膜質(zhì)量。
    - 增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì),保證面接觸。
    距離可調(diào)整
    基片和靶材之間的距離可調(diào)整,以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。
    角度可調(diào)
    磁控濺射靶頭可調(diào)角度,以便針對不同尺寸基片的均勻性,做精準(zhǔn)調(diào)控。
    集成一體化柜式結(jié)構(gòu)
    一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn):
    安全性好(操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件)
    占地面積小,尺寸約為:長1100mm×寬780mm(標(biāo)準(zhǔn)辦公室門是800mm寬)(傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm),相同面積的工作場地,可以放兩臺設(shè)備。
    控制系統(tǒng)
    采用計(jì)算機(jī)+PLC 兩級控制系統(tǒng)
    安全性
    - 電力系統(tǒng)的檢測與保護(hù)
    - 設(shè)置真空檢測與報(bào)警保護(hù)功能
    - 溫度檢測與報(bào)警保護(hù)
    - 冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量
    - 檢測與報(bào)警保護(hù)
    勻氣技術(shù)
    工藝氣體采用勻氣技術(shù),氣場更均勻,鍍膜更均勻。
    基片加熱技術(shù)
    采用鎧裝加熱絲,由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi),所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì),保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里,保證溫常的均勻,然后再對基片加熱。
    真空度更高、抽速更快
    真空室內(nèi)外,全部電化學(xué)拋光,完全去除表面微觀毛刺叢林(在顯微鏡下可見),沒有微觀藏污納垢的地方,腔體內(nèi)表面積減少一倍以上,鍍膜更純凈,真空度更高,抽速更快。
    設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能:
    1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室+進(jìn)樣室、鍍膜室+手套箱
    2、磁控濺射靶數(shù)量及類型:1~6個(gè)靶,圓形平面靶
    3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝
    4、磁控濺射靶:射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容
    5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱、可升降、可加偏壓
    6、通入反應(yīng)氣體,可進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜
    7、操作方式:手動、半自動、全自動
    8、如果需要更高本底真空需要配置LOADLOCK,超高真空磁控濺射靶并且 樣品傳遞采用折疊式,超高真空機(jī)械手或真空機(jī)械手,系統(tǒng)極限真空可達(dá)10-8Pa
    設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
    - 基片托架:根據(jù)供件大小配置。
    - 基片加熱器溫度:根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置。溫度可用電腦編程控制,可控可調(diào)。
    - 基片自動速度:2~20轉(zhuǎn)/分鐘。
    - 基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。
    - 靶面到基片距離30mm~140mm 可調(diào)。
    - Φ2~Φ12英寸平面圓形靶1~6支,配氣動靶控板,靶可擺頭調(diào)角度。
    - 鍍膜室的極限真空:6X10-5Pa~7X10-8Pa,恢復(fù)工作背景真空7×10-4Pa:30分鐘左右(新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?br /> - 設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤5Pa
    設(shè)備工作條件
     

    類型

    參數(shù)

    備注

    供電

    ~380V

    三相五線制

    功率

    根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置

     

    冷卻水循環(huán)

    根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置

     

    水壓

    1.0~1.5×105Pa

     

    制冷量

    根據(jù)散熱量配置

     

    水溫

    18~25℃

     

    氣動部件供氣壓力

    0.5MPa~0.7MPa

     

    質(zhì)量流量控制器供氣壓力

    0.05MPa~0.2MPa

     

    工作環(huán)境溫度

    10℃~40℃

     

    工作環(huán)境濕度

    ≤50%

     

獲取報(bào)價(jià)

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