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功能性薄膜真空沉積裝置

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MBE分子束外延設(shè)備

分子束外延薄膜生長設(shè)備（MBE）（分子束外延MBE）該設(shè)備可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長工藝，實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等?？梢赃M(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長制造。 分子束外延薄膜生長設(shè)備在薄膜外延生長時(shí)具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時(shí)的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。

PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

PECVD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

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