鵬城半導(dǎo)體攜TGV/TSV/TMV技術(shù)亮相慕尼黑上海光博會(huì)
慕尼黑上海光博會(huì),堪稱亞洲激光、光學(xué)、光電行業(yè)的年度盛會(huì)。自 2006 年首次在上海舉辦以來(lái) ,其規(guī)模與影響力與日俱增,已然成為全球光電行業(yè)的重要交流平臺(tái)。
慕尼黑上海光博會(huì)將于2025年3月20-22日在上海新國(guó)際博覽中心(上海市浦東新區(qū)龍陽(yáng)路2345號(hào))舉辦,屆時(shí)鵬城半導(dǎo)體將攜前沿薄膜沉積設(shè)備及技術(shù)解決方案在E4館4631亮相?;诩{米與原子制造的PVD/CVD技術(shù),用于高質(zhì)量的薄膜制備。例如,用磁控濺射技術(shù)進(jìn)行單晶薄膜制備,將磁控濺射用于分子束外延的束流源等。展品涵蓋微納光學(xué)、聲學(xué)、醫(yī)療領(lǐng)域等熱門(mén)應(yīng)用領(lǐng)域,本次慕尼黑上海光博會(huì)給大家?guī)?lái)前沿技術(shù)及產(chǎn)品亮相,誠(chéng)邀各位新老客戶撥冗蒞臨展位洽談交流!
生產(chǎn)型 TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)
鵬城半導(dǎo)體此次參展的明星產(chǎn)品 —— 生產(chǎn)型 TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)。
該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜,深徑比>10:1。例如:用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu),Au/TiW傳輸導(dǎo)線雙體系膜層淀積能力,為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。
在玻璃基板和陶瓷基板鍍膜方面,該鍍膜機(jī)優(yōu)勢(shì)明顯。玻璃基板作為下一代芯片基板,具有優(yōu)良的高頻電學(xué)特性、大尺寸超薄易獲取、低成本、工藝流程簡(jiǎn)單和機(jī)械穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì) 。
鵬城半導(dǎo)體的生產(chǎn)型 TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機(jī)在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)創(chuàng)新與突破,為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。
從行業(yè)發(fā)展的角度來(lái)看,TGV/TSV/TMV 技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)了半導(dǎo)體行業(yè)在先進(jìn)封裝、高性能芯片制造等關(guān)鍵領(lǐng)域的進(jìn)步。在先進(jìn)封裝方面,高真空磁控濺射鍍膜機(jī)的技術(shù)突破,使得玻璃基板和陶瓷基板在 3D 封裝、異構(gòu)集成中的應(yīng)用更加廣泛,加速了芯片小型化、高性能化的發(fā)展趨勢(shì);在高性能芯片制造中,均勻、高質(zhì)量的鍍膜工藝為芯片的性能提升提供了保障,有助于推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)向更高制程、更低功耗的方向發(fā)展。
生產(chǎn)型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧復(fù)合鍍膜機(jī)
該設(shè)備廣泛應(yīng)用于銑刀、鉆頭、軸承、齒輪、鏡片等表面的硬質(zhì)耐磨涂層制備,集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設(shè)備。
可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。
生產(chǎn)型 高真空磁控濺射及離子輔助復(fù)合鍍膜機(jī)
采用磁控濺射、離子輔助、反應(yīng)濺射的工藝方法,在工件表面制備各種薄膜材料。該設(shè)備是集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應(yīng)濺射鍍膜等工藝方法于一體的PVD設(shè)備。
可以制備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。
科研型 高真空磁控濺射鍍膜機(jī) Circular Sputter系列是我司科研類高真空磁控濺射儀,其主要是用圓形磁控濺射靶進(jìn)行濺射的方法,制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等;適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜;可鍍制磁性材料和非磁性材料。
可用于TGV/TSV/TMV 先進(jìn)封裝的研發(fā),高深徑比(≥10:1)的深孔種子層鍍膜。
設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)
秉承設(shè)備為工藝實(shí)現(xiàn)提供實(shí)現(xiàn)手段的理念,我們做了如下設(shè)計(jì)和工程實(shí)現(xiàn),實(shí)際運(yùn)行效果良好,為用戶的專用工藝實(shí)現(xiàn)提供了精準(zhǔn)的工藝設(shè)備方案。
研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備,分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。
設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發(fā)和生產(chǎn)??捎糜诹W(xué)級(jí)別、熱學(xué)級(jí)別、光學(xué)級(jí)別、聲學(xué)級(jí)別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。
可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片,用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。
可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質(zhì)涂層;環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的金剛石產(chǎn)品。
可用于平面工件的金剛石薄膜制備,也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。
可用于太陽(yáng)能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)。
分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)(分子束外延MBE)該設(shè)備可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)工藝,實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長(zhǎng)制造。
我公司設(shè)計(jì)制造的分子束外延薄膜生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)設(shè)備,分實(shí)驗(yàn)型和生產(chǎn)型兩種 ,配置合理,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,操作方便,技術(shù)先進(jìn),性能可靠,用途多,實(shí)用性強(qiáng),價(jià)格相對(duì)較低,可供各大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實(shí)驗(yàn)、科學(xué)研究及工藝實(shí)驗(yàn)之用。
生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。
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